Привітання з новорічними святами

Дорогі колеги – викладачі, наукові співробітники, інженери, аспіранти та студенти кафедри загальної фізики!

Минає 2022, страшний рік, який приніс лихо і страждання на нашу землю.
Але скільки любові і співчуття, щирості і щедрості ми бачили за ці місяці війни. Яку твердість і непохитність, мужність та самопожертву проявляють наші захисники. Змінилась країна, змінились і ми. Стали сильнішими.
Тому в 2023 рік можемо дивитись все-таки з оптимізмом.

Бажаємо усім нам в 2023 році головного – перемоги над російським ворогом, звільнення української землі!
Бажаємо здолати накопичену втому, знайти нові сили для турботи і піклування про дорогих вам людей, та й взагалі про тих, кому зараз гірше!
Бажаємо, попри нестачу електрики та інтернету, з задоволенням і натхненням робити нашу справу – навчати, досліджувати, налагоджувати, вчитися!
Бажаємо міцного здоров’я, світла і тепла – душевного та фізичного!

З Новим Роком!
З Різдвом Христовим!

Posted in НовиниComments (0)

Вітаємо з важливим досягненням!

Раді повідомити, що Наказом Міністерства освіти і науки України №1166 від 23 грудня 2022 року затверджено рішення Вченої ради Київського національного університету імені Тараса Шевченка про присвоєння вченого звання професора і видано відповідний атестат професору кафедри загальної фізики, доктору фізико-математичних наук Оліху Олегу Ярославовичу !

Щиро вітаємо Олега Ярославовича і бажаємо професійних звершень, нових здобутків на науковій ниві та не зупинятись на досягнутому! Успіхів, здоров’я та творчого натхнення!

Posted in НовиниComments (0)

Он-лайн засідання кафедри загальної фізики (протокол №4)

У п’ятницю, 9 грудня 2022 року, о 17.00 відбудеться он-лайн засідання кафедри загальної фізики (протокол № 4)

ПОРЯДОК ДЕННИЙ

1. Затвердження звітів студентів 2-го курсу магістратури про виконання програм асистентської та переддипломної практик (доповідають наукові керівники).
–   Заболотній Іван (н.к. доцент Подолян А.О.)
–   Костина Артем (н.к. доцент Оліх О.Я.)
–   Табунщик Андрій (н.к. доцент Козаченко В.В.)
–   Доценко Михайло (н.к. Ящук В.П. керівник ас.практики Цареградська Т.Л.)
–   Майданик Богдан (н.к. доцент Цареградська Т.Л.)

2. Затвердження звітів студентів 1-го курсу магістратури про виконання програм науково-виробничої практики з фізики наноматеріалів. (доповідають наукові керівники)
–   Алексєєв Владислав (н.к. проф. Коротченков О.О.)
–   Дітковський Павло (н.к. проф. Боровий М.О.)
–   Заяць Дмитро (н.к. доцент Овсієнко І.В.)
–   Лі Чжоучан (н.к. ас. ЛІщук П.О.)
–   Обіход Владислав (н.к. доцент Цареградська Т.Л.)

3. Затвердження звіту зі стажування Курилюк Алли Миколаївни.

4. Різне.

Posted in Засідання кафедри, НовиниComments (0)

Збори трудового колективу кафедри загальної фізики

У п’ятницю, 9 грудня 2022 року, о 16.30 відбудуться он-лайн збори трудового колективу кафедри загальної фізики.

ПОРЯДОК ДЕННИЙ

  • Вибори делегатів на конференцію трудового колективу факультету.
  • Підготовка пропозицій щодо обрання делегатів на конференцію Університету.

Posted in Засідання кафедри, НовиниComments (0)

Он-лайн засідання кафедри загальної фізики (протокол №3)

 

У п’ятницю,  7 листопада  2022 року, о 17.15 відбудеться он-лайн засідання кафедри загальної фізики (протокол №3)

 

ПОРЯДОК ДЕННИЙ

1. Затвердження екзаменаційних білетів на зимову сесію.

2. Обговорення розпорядження Ректора№ 89 від 31.10.2022 року (про додаткові заходи із  забезпечення освітнього процесу у першому семестрі 2022/2023 навчального року)

3. Різне.

Posted in Засідання кафедри, НовиниComments (0)

Процеси фазоутворення в аморфних матеріалах: колектив


Цареградська Тетяна Леонідівна – доцент КЗФ, к.ф.-м.н.


Саєнко Галина Володимирівна – молодший науковий співробітник КЗФ,
к.ф.-м.н.


Турков Олег Володимирович – провідний інженер.

 

Posted in Наукові групиComments (0)

Активний ультразвук як інструмент інженерії дефектів у напівпровідниках: колектив


Оліх Олег Ярославович – д.ф.-м.н., професор КЗФ


Завгородній Олексій (аспірант)

Posted in Наукові напрямкиComments (0)

Активний ультразвук як інструмент інженерії дефектів у напівпровідниках

Склад колективу

Напрямки досліджень та основні результати

Основні публікації

Posted in Наукові групиComments (0)

Активний ультразвук як інструмент інженерії дефектів у напівпровідниках: публікації

  • Olikh O., Lytvyn P. « Defect engineering using microwave processing in SiC and GaAs », Semiconductor Science and Technology, 2022, vol.37, Is.7, 075006; https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac6f17 
  • Olikh O., Kostylyov V., Vlasiuk V., Korkishko R., Chupryna R. «Intensification of iron–boron complex association in silicon solar cells under acoustic wave action », Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, vol.33, is.13, p. 13133-13142; https://doi.org/10.1007/s10854-022-08252-3 
  • Olikh O., Lozitsky O., Zavhorodnii O. «Estimation for iron contamination in Si solar cell by ideality factor: Deep neural network approach», Progress in Photovoltaics: Research and Applications, 2022, vol.30, is.6, p. 648-660; https://doi.org/10.1002/pip.3539 
  • Olikh O.Ya., Kostylyov , Vlasiuk V., Korkishko R., Olikh Ya., Chupryna R. «Features of FeB pair light-induced dissociation and repair in silicon n+-pp+ structures under ultrasound loading», Journal of Applied Physics, 2021, vol.130, is.23, 235703; https://doi.org/10.1063/5.0073135 
  • Vlasiuk V., Korkishko R., Kostylyov V., Olikh O. «Kinetics of Light-Induced Processes Due to Iron Impurities in Silicon Solar Cells», Proceedings of 2021 International Conference on Electrical, Computer, Communications and Mechatronics Engineering (ICECCME), 2021, P. 1-6; https://doi.org/1109/ICECCME52200.2021.9591025 
  • Olikh O.Ya., Zavhorodnii O.V. «Modeling of ideality factor value in n+-p-p+-Si structure», Журнал фізичних досліджень, 2020, Т. 24, №4, 4701; https://doi.org/10.30970/jps.24.4701 
  • Olikh Ya. , Tymochko M. D., Olikh O.Ya. «Mechanisms of two-stage conductivity relaxation in CdTe:Cl with ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2020, vol.49, is.8, P. 4524-4530; https://doi.org/10.1007/s11664-020-08179-7 
  • Gorb A.M., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolian A.O., Chupryna R.G. «Influence of γ-irradiation and ultrasound treatment on current mechanism in Au-SiO2-Si structure», Solid State Electronics, 2020, vol.165, 107712; https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107712 
  • Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Оліх О.Я. «Акустоіндуковані температурні особливості електропровідності в CdZ 
  • Olikh O., Lytvyn P. « Defect engineering using microwave processing in SiC and GaAs », Semiconductor Science and Technology, 2022, vol.37, Is.7, 075006; https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac6f17 
  • Olikh O., Kostylyov V., Vlasiuk V., Korkishko R., Chupryna R. «Intensification of iron–boron complex association in silicon solar cells under acoustic wave action », Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2022, vol.33, is.13, p. 13133-13142; https://doi.org/10.1007/s10854-022-08252-3 
  • Olikh O., Lozitsky O., Zavhorodnii O. «Estimation for iron contamination in Si solar cell by ideality factor: Deep neural netwnTe:Cl, обумовлені метастабільними DX-центрами», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2019, T. 54, C. 134-138 
  • Olikh O.Ya. «Relationship between the ideality factor and the iron concentration in silicon solar cells», Superlattices and Microstructures, 2019, vol.136, 106309; https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106309 
  • Olikh O.Ya. «Acoustically driven degradation in single crystalline silicon solar cell», Superlattices and Microstructures, 2018, vol.117, p. 173-188 
  • Olikh O.Ya., Gorb A.M., Chupryna R.G., Pristay-Fenenkov O.V. «Acousto-defect interaction in irradiated and non-irradiated silicon n+–p structures», Journal of Applied Physics, 2018, vol.123, is.16, 161573 
  • Olikh Ya. M., Tymochko M. D., Olikh O.Ya., Shenderovsky V. A. «Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2018, vol.47, is.8, P. 4370-4378 
  • Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Сафрюк Н.В., Ілащук М.І., Оліх О.Я. «Дослідження «придислокаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2018, T. 52, C.108-122 
  • Olikh O. Ya., Voitenko K. V., Burbelo R. M., Olikh Ja. M. «Effect of ultrasound on reverse leakage current of silicon Schottky barrier structure», Journal of Semiconductors, 2016, vol.37, is.12, 122002 
  • Olikh O.Ya., Voytenko K.V. «On the mechanism of ultrasonic loading effect in silicon-based Schottky diodes», Ultrasonics, 2016, vol.66, p. 1-3 
  • Olikh O.Ya. «Review and test of methods for determination of the Schottky diode parameters», Journal of Applied Physics, 2015, vol.118, is.2, 024502 
  • Olikh O.Ya., Voytenko K.V., Burbelo R.M. «Ultrasound influence on I–V–T characteristics of silicon Schottky barrier structure», Journal of Applied Physics, 2015, vol.117, is.4, 044505 
  • Olikh O.Ya. «Reversible influence of ultrasound on γ-irradiated Mo/n-Si Schottky barrier structure», Ultrasonics, 2015, vol.56, p. 545-550 
  • Лисюк І.О., Оліх Я.М., Оліх О.Я., Бекетов Г.В. «Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te», УФЖ, 2014, т. 59, №1, с. 50-57 
  • Оліх О.Я. «Особливості впливу ультразвуку на перенесення заряду в кремнієвих структурах з бар’єром Шотки залежно від дози γ-опромінення», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013, т.10, №1, с.47-55 
  • Олих О.Я. «Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/nn+-Si c барьером Шоттки», Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, №7, с. 979-984 
  • Оліх О.Я. «Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки», УФЖ, 2013, т. 58, №2, с. 126-134 
  • Olikh O.Ya. «Non-Monotonic g-Ray Influence on Mo/n-Si Schottky Barrier Structure Properties», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2013, vol.60, is.1, part 2, p.394-401 
  • Олих О.Я. «Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов», Физика и техника полупроводников, 2011, т. 45, №6, с. 816-822 
  • Оліх Я.М., Оліх О.Я. «Інформаційний чинник акустичної дії на структуру дефектних комплексів у напівпровідниках», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2011, т.2 (8), №2, с.5-12 
  • Оліх О.Я. «Особливості впливу нейтронного опромінення на динамічну акустодефектну взаємодію у кремнієвих сонячних елементах», УФЖ, 2010, т. 55, №7, с. 770-776 
  • Gorb A.M., Korotchenkov O. A., Olikh O.Ya., Podolian A.O. «Ultrasonically Recovered Performance of g-Irradiated Metal-Silicon Structures», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2010, vol.57, іs.3, р.1632-1639 
  • Lytvyn P.M., Olikh O.Ya., Lytvyn O.S., Dyachyns’ka O.M., Prokopenko I.V. «Ultrasonic assisted nanomanipulations with atomic force microscope», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, vol. 13, №.1, р.36-42 
  • Олих О.Я. «Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения», Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, №6, c. 774-779 
  • Курилюк В.В., Горб А.М., Коротченков О.О., Оліх О.Я. «Вплив ультразвуку на вольт-амперні характеристики гетероструктур GaAs/AlGaAs», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2007, №3, c. 298-300 
  • Оліх О.Я., Бурбело Р.М., Хіндерс М.К. «Робота кремнієвих сонячних елементів в умовах акустичного навантаження мегагерцового діапазону», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2007, т.4, №3, с.40-45 
  • Olikh O.Ya., Burbelo R., Hinders M. «The Dynamic Ultrasound Influence on Diffusion and Drift of the Charge Carriers in Silicon p-n Structures», Mater. Res. Soc. Symp. Proc, V.994: Semiconductor Defect Engineering – Materials, Synthetic, Structures and Devices II, edited by S.Ashok, P.Kiesel, J.Chevallier, T.Ogino, Warrendale, PA, 2007, F03-11 
  • Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки», Письма в Журнал Технической Физики, 2006, Т. 32, №12, С. 22-27 
  • Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней монокристаллах карбида кремния», Физика и химия обработки материалов, 2005, №2, с.19-22 
  • Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на глубокие уровни монокристаллов GaAs и SiC», Петербургский журнал электроники, 2004, №1, с.20-24 
  • Olikh Ja.М., Olikh O.Ya. «Active ultrasound effects in the future usage in sensor electronics», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2004, т.1, №1, с.19-29 
  • Olikh O.Ya. «Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, vol. 6, N.4, p.450-453 
  • Оліх О.Я. «Акустостимульовані динамічні ефекти в сонячних елементах на основі кремнію», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2003, №4, c. 408-414 
  • Олих О.Я., Островский И.В. «Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах р-кремния под действием ультразвука», Физика твердого тела, 2002, т. 44, №7, с. 1198-1202 
  • Ostrovskii I.V., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolyan A.A., Chupryna R.G., Torres-Cisneros M. «Acoustically driven optical phenomena in bulk and low-dimensional semiconductors», Journal of Optics A: Pure and Applied Optics, 2001, vol. 3, N 4, p.S82-S86 
  • Оліх О.Я., Островський І.В. «Вплив ультразвуку на довжину дифузії неосновних носіїв заряду в кремнії», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2000, №2, c. 529-534 
  • Островський І.В., Оліх О.Я. «Про можливості керування ефективністю фотоелектричного перетворення в шаруватих структурах п’єзоелектрик-напівпровідник за допомогою ультразвуку», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 1999, т. 34, c.56-60 
  • Ostrovskii I.V., Olikh O.Ya. «Characterization of interface deep levels in as vapor grown epi-GaAs», Solid State Communication, 1998, vol. 107, N 7, p.341-343. 
  • Ostrovskii I.V., Saiko S.V., Olikh O.Ya., Walther H.G. «Acousto-electric study of interface trapping defects in GaAs epitaxial structures», Журнал фізичних досліджень, 1998, т. 2, №1, с.143-149 
  • Островський І.В., Оліх О.Я. «Акустоелектрична релаксаційна спектроскопія газофазних епітаксіальних структур GaAs:Te», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 1996, №2, c. 310-315

Posted in Наукові групиComments (0)

Електронна структура та фазові перетворення в напівпровідникових системах та нанокомпозитах: публікації

Вибрані публікації:

1) Olena S.Yakovenko, LudmilaYu. Matzui, Oleksii A.Syvolozhskyi, Ludmila L.Vovchenko, Oleksandra A.Lazarenko, Olena V.Ischenko , AllaG.Dyachenko, Anna V.Vakaliuk, Victor V.Oliynyk, Volodymyr V.Zagorodnii, Andrii V.Bodnaruk, Viktor M.Kalita, Mykola O.Borovoy . Epoxy composites filled with graphite nanoplatelets modified by FeNi nanoparticles: Structure and microwave properties. Materials Science and Engineering: B, 2022, 283, 115776.

2) L.L.Vovchenko, L.YuMatzui, O.S.Yakovenko, O.V.Lozitsky, T.A.Len, V.V.Oliynyk, M.V.Galaburda, M.O.Borovoy, O.A.Syvolozhskyi . Electrical and shielding properties of epoxy composites with Ni–C and Co–C core- shell nanoparticles. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2022, 144, 115463.

3) M. Borovyi, Y. Gololobov, K. Isaieva, M. Isaiev. The Effect of X‐Ray Irradiation on Conductivity of C and 2 C Polytype TlInS2 Ferroelectrics. Physica Status solidi(b), 2021, 258(5), 2000556.

4) Mandrolko V. M., Borovyi M. O., Ovsiienko I. V, Len T. A., Matzui L. Yu., Gomon O. O., Naumova D. D. Peculiarities of phase transformations in graphite intercalation compounds with bromine. Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2021, 721(1).

5) P. Tesel’ko, A. Trukhanov, K. Astapovich, O. Yakovenko, S. Trukhanov, M.Borovoy, O. Lozitsky, L. Matzui, L. Vovchenko, O. Lazarenko. Effect of Ga content on magnetic properties of
BaFe12−xGaxO19/epoxy composites. Journal of Materials Science, 2020 55(22), 9385.

Posted in Наукові групиComments (0)

advert