доцент кафедри загальної фізики
кандидат фізико-математичних наук

Тел.: +38 (044) 526-05-10
e-mail: gogi@univ.kiev.ua

1999 – вища освіта: фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
1999 -2003 – аспірантура, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
2001-2002 – інженер, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
2002 – 2011 – асистент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;
2008 – захистив дисертаційну роботу на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук;
2011 – доцент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка.

Основні напрямки наукової діяльності:

• Фото- та термоелектричні властивості низькорозмірних напівпровідникових структур;
• Фотоелектричні властивості органічних напівпровідникових структур.

Найбільш вагомі останні роботи:

1. A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, and V. Popov. Enhanced photoresponse of Ge/Si nanostructures by combining amorphous silicon deposition and annealing // J.Appl. Phys.-2018.- Vol. 124, Issue 9.-p. 095703.

2. R. Savkina, A. Smirnov, S. Kirilova, V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, V. Odarych, O. Korotchenkov. Charge-carrier relaxation in sonochemically fabricated dendronized CaSiO3–SiO2–Si nanoheterostructures // Applied Nanoscience.-2018.-pp. 1–10.

3. N. Davidenko, I. Davidenko, O. Korotchenkov, V. Kravchenko, E. Mokrinskaya, A. Podolian, S. Studzinsky, L. Tonkopiyeva. Photoelectric properties of heterostructures based on PEPC and MEH-PPV films doped with zinc ctabutylphthalocyanine // Chem. J. Mold.- 2016.-V. 11(1).-pp. 86-90.

4. A.Gorb, O.Korotchenkov, V.Kuryliuk, A.Medvid, G.Mozolevskis, A.Nadtochiy, A. Podolian. Electron and hole separation in Ge nanocones formed on Si1-xGex solid solution by Nd:YAG laser radiation // Appl.Surf.Sci.-2015.- Vol.346.-P. 177-181.

5. O. Korotchenkov, A. Podolian, V. Kuryliuk, B. Romanyuk, V. Melnik, and I. Khatsevich. Effects of low temperature anneals on the photovoltage in Si nanocrystals // J. Appl. Phys., 2012, Vol. 111, Issue 6, pp. 063501

6. A. Podolian, V. Kozachenko, A. Nadtochiy, N. Borovoy, and O.Korotchenkov. Photovoltage transients at fullerene-metal interfaces // J.Appl. Phys.-2010.- Vol. 107, Issue 9.-p.093706