Категорія Співробітники

Оліх Олег Ярославович

корпоративна пошта: olegolikh@knu.ua

телефон: +38 (044) 526-05-10

Профіль у наукометричних базах даних:

            

Досвід роботи:

1996 – вища освіта: фізичний факультет, Київський університет імені Тараса Шевченка;

1996 – 2000 – аспірантура, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2001 – кандидат фіз.-мат. наук (тема дисертації: “Дослідження акусто-фото-електричної взаємодії в напівпровідникових структурах GaAs і Si”);

1998 – 2002 – асистент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2002 – доцент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2007 – 2011 – заступник декана фізичного факультету з навчально-методичної роботи;

2018 – доктор фіз.-мат. наук (тема дисертації: “Акусто- та радіаційно-індуковані явища в поверхнево-бар’єрних кремнієвих та арсенід-ґалієвих структурах”).

2021 – професор кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка

2021 – за реалізацію керованого впливу акустичного поля на процеси перебудови дефектів у напівпровідниках та поверхнево-бар’єрних структурах присуджено премію імені І. Пулюя Національної академії наук України.

Навчальні курси

  • Основи фізики наносистем
  • Наноелектроніка
  • Сучасні комп’ютерні технології у фізиці наносистем
  • Фізика (для студентів хімічного факультету)

Основні напрямки наукової діяльності:

  • Вплив ультразвуку на речовину;
  • Використання ультразвукових методів для визначення параметрів напівпровідникових кристалів;
  • Акустостимульовані динамічні явища в напівпровідникових бар’єрних структурах.

Результати наукової діяльності опубліковані у понад 80 наукових працях у вітчизняних та зарубіжних журналах, а також у матеріалах накових конференцій.

Наукові праці:

  1. Olikh O.Ya., Kostylyov , Vlasiuk V., Korkishko R., Olikh Ya., Chupryna R. «Features of FeB pair light-induced dissociation and repair in silicon n+-pp+ structures under ultrasound loading», Journal of Applied Physics, 2021, vol.130, is.23, 235703; https://doi.org/10.1063/5.0073135
  2. Vlasiuk V., Korkishko R., Kostylyov V., Olikh O. «Kinetics of Light-Induced Processes Due to Iron Impurities in Silicon Solar Cells», Proceedings of 2021 International Conference on Electrical, Computer, Communications and Mechatronics Engineering (ICECCME), 2021, P. 1-6; https://doi.org/1109/ICECCME52200.2021.9591025
  3. Olikh O.Ya., Zavhorodnii O.V. «Modeling of ideality factor value in n+-p-p+-Si structure», Журнал фізичних досліджень, 2020, Т. 24, №4, 4701; https://doi.org/10.30970/jps.24.4701
  4. Olikh Ya. , Tymochko M. D., Olikh O.Ya. «Mechanisms of two-stage conductivity relaxation in CdTe:Cl with ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2020, vol.49, is.8, P. 4524-4530; https://doi.org/10.1007/s11664-020-08179-7
  5. Gorb A.M., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolian A.O., Chupryna R.G. «Influence of γ-irradiation and ultrasound treatment on current mechanism in Au-SiO2-Si structure», Solid State Electronics, 2020, vol.165, 107712; https://doi.org/10.1016/j.sse.2019.107712
  6. Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Оліх О.Я. «Акустоіндуковані температурні особливості електропровідності в CdZnTe:Cl, обумовлені метастабільними DX-центрами», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2019, T. 54, C. 134-138
  7. Olikh O.Ya. «Relationship between the ideality factor and the iron concentration in silicon solar cells», Superlattices and Microstructures, 2019, vol.136, 106309; https://doi.org/10.1016/j.spmi.2019.106309
  8. Olikh O.Ya. «Acoustically driven degradation in single crystalline silicon solar cell», Superlattices and Microstructures, 2018, vol.117, p. 173-188
  9. Olikh O.Ya., Gorb A.M., Chupryna R.G., Pristay-Fenenkov O.V. «Acousto-defect interaction in irradiated and non-irradiated silicon n+–p structures», Journal of Applied Physics, 2018, vol.123, is.16, 161573
  10. Olikh Ya. M., Tymochko M. D., Olikh O.Ya., Shenderovsky V. A. «Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2018, vol.47, is.8, P. 4370-4378
  11. Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Сафрюк Н.В., Ілащук М.І., Оліх О.Я. «Дослідження «придислокаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2018, T. 52, C.108-122
  12. Olikh O. Ya., Voitenko K. V., Burbelo R. M., Olikh Ja. M. «Effect of ultrasound on reverse leakage current of silicon Schottky barrier structure», Journal of Semiconductors, 2016, vol.37, is.12, 122002
  13. Olikh O.Ya., Voytenko K.V. «On the mechanism of ultrasonic loading effect in silicon-based Schottky diodes», Ultrasonics, 2016, vol.66, p. 1-3
  14. Olikh O.Ya. «Review and test of methods for determination of the Schottky diode parameters», Journal of Applied Physics, 2015, vol.118, is.2, 024502
  15. Olikh O.Ya., Voytenko K.V., Burbelo R.M. «Ultrasound influence on I–V–T characteristics of silicon Schottky barrier structure», Journal of Applied Physics, 2015, vol.117, is.4, 044505
  16. Olikh O.Ya. «Reversible influence of ultrasound on γ-irradiated Mo/n-Si Schottky barrier structure», Ultrasonics, 2015, vol.56, p. 545-550
  17. Лисюк І.О., Оліх Я.М., Оліх О.Я., Бекетов Г.В. «Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te», УФЖ, 2014, т. 59, №1, с. 50-57
  18. Оліх О.Я. «Особливості впливу ультразвуку на перенесення заряду в кремнієвих структурах з бар’єром Шотки залежно від дози γ-опромінення», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013, т.10, №1, с.47-55
  19. Олих О.Я. «Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/nn+-Si c барьером Шоттки», Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, №7, с. 979-984
  20. Оліх О.Я. «Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки», УФЖ, 2013, т. 58, №2, с. 126-134
  21. Olikh O.Ya. «Non-Monotonic g-Ray Influence on Mo/n-Si Schottky Barrier Structure Properties», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2013, vol.60, is.1, part 2, p.394-401
  22. Олих О.Я. «Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов», Физика и техника полупроводников, 2011, т. 45, №6, с. 816-822
  23. Оліх Я.М., Оліх О.Я. «Інформаційний чинник акустичної дії на структуру дефектних комплексів у напівпровідниках», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2011, т.2 (8), №2, с.5-12
  24. Оліх О.Я. «Особливості впливу нейтронного опромінення на динамічну акустодефектну взаємодію у кремнієвих сонячних елементах», УФЖ, 2010, т. 55, №7, с. 770-776
  25. Gorb A.M., Korotchenkov O. A., Olikh O.Ya., Podolian A.O. «Ultrasonically Recovered Performance of g-Irradiated Metal-Silicon Structures», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2010, vol.57, іs.3, р.1632-1639
  26. Lytvyn P.M., Olikh O.Ya., Lytvyn O.S., Dyachyns’ka O.M., Prokopenko I.V. «Ultrasonic assisted nanomanipulations with atomic force microscope», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, vol. 13, №.1, р.36-42
  27. Олих О.Я. «Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения», Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, №6, c. 774-779
  28. Курилюк В.В., Горб А.М., Коротченков О.О., Оліх О.Я. «Вплив ультразвуку на вольт-амперні характеристики гетероструктур GaAs/AlGaAs», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2007, №3, c. 298-300
  29. Оліх О.Я., Бурбело Р.М., Хіндерс М.К. «Робота кремнієвих сонячних елементів в умовах акустичного навантаження мегагерцового діапазону», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2007, т.4, №3, с.40-45
  30. Olikh O.Ya., Burbelo R., Hinders M. «The Dynamic Ultrasound Influence on Diffusion and Drift of the Charge Carriers in Silicon p-n Structures», Mater. Res. Soc. Symp. Proc, V.994: Semiconductor Defect Engineering – Materials, Synthetic, Structures and Devices II, edited by S.Ashok, P.Kiesel, J.Chevallier, T.Ogino, Warrendale, PA, 2007, F03-11
  31. Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки», Письма в Журнал Технической Физики, 2006, Т. 32, №12, С. 22-27
  32. Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней монокристаллах карбида кремния», Физика и химия обработки материалов, 2005, №2, с.19-22
  33. Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на глубокие уровни монокристаллов GaAs и SiC», Петербургский журнал электроники, 2004, №1, с.20-24
  34. Olikh Ja.М., Olikh O.Ya. «Active ultrasound effects in the future usage in sensor electronics», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2004, т.1, №1, с.19-29
  35. Olikh O.Ya. «Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, vol. 6, N.4, p.450-453
  36. Оліх О.Я. «Акустостимульовані динамічні ефекти в сонячних елементах на основі кремнію», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2003, №4, c. 408-414
  37. Олих О.Я., Островский И.В. «Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах р-кремния под действием ультразвука», Физика твердого тела, 2002, т. 44, №7, с. 1198-1202
  38. Ostrovskii I.V., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolyan A.A., Chupryna R.G., Torres-Cisneros M. «Acoustically driven optical phenomena in bulk and low-dimensional semiconductors», Journal of Optics A: Pure and Applied Optics, 2001, vol. 3, N 4, p.S82-S86
  39. Оліх О.Я., Островський І.В. «Вплив ультразвуку на довжину дифузії неосновних носіїв заряду в кремнії», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2000, №2, c. 529-534
  40. Островський І.В., Оліх О.Я. «Про можливості керування ефективністю фотоелектричного перетворення в шаруватих структурах п’єзоелектрик-напівпровідник за допомогою ультразвуку», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 1999, т. 34, c.56-60
  41. Ostrovskii I.V., Olikh O.Ya. «Characterization of interface deep levels in as vapor grown epi-GaAs», Solid State Communication, 1998, vol. 107, N 7, p.341-343.
  42. Ostrovskii I.V., Saiko S.V., Olikh O.Ya., Walther H.G. «Acousto-electric study of interface trapping defects in GaAs epitaxial structures», Журнал фізичних досліджень, 1998, т. 2, №1, с.143-149
  43. Островський І.В., Оліх О.Я. «Акустоелектрична релаксаційна спектроскопія газофазних епітаксіальних структур GaAs:Te», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 1996, №2, c. 310-315

Науково-методичні праці

  1. Оліх О.Я. «Методи дослідження дефектів», Вінниця: ТОВ «Нілан-ЛТД», 2020, 60 с.
  2. Боровий М.О., Оліх О.Я., Овсієнко І.В., Цареградська Т.Л., Козаченко В.В., Подолян А.О., Ісаєв М.В., Дубик К.В. «Загальна фізика для хіміків. Збірник задач. Частина 2. Електрика та магнетизм», Вінниця: ТОВ «ТВОРИ», 2019, 164 с.
  3. Боровий М.О., Оліх О.Я., Овсієнко І.В., Цареградська Т.Л., Козаченко В.В., Подолян А.О., Ісаєв М.В. «Загальна фізика для хіміків. Збірник задач. Частина 1. Механіка. Молекулярна фізика та термодинаміка», Вінниця: ТОВ «Нілан-ЛТД», 2018, 156 с.
  4. Оліх О.Я. «Дефекти у напівпровідникових та діелектричних кристалах», Вінниця: ФОП Корзун Д.Ю., 2015, 152 с.
  5. Оліх О.Я. «Сучасні комп’ютерні технології. Принципи побудови комп’ютерних мереж», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2015, 479 с.
  6. Горб А.М., Коротченков О.О., Надточій А.Б., Оліх О.Я. «Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з дисципліни «Оптика»», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2012, 95 с.
  7. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Фізичні основи квантової механіки. Для студентів природничих факультетів. Частина 1.», Київ: «Кафедра», 2011, 124 с.
  8. Момот А.І., Оліх О.Я. «Математичне моделювання. Методичні вказівки до практичних робіт», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2011, 72 с.
  9. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Збірник задач з електрики та магнетизму для студентів природничих факультетів», Київ, «Освіта України», 2009, 66 с.
  10. Бурдакова А.В., Жабітенко М.К., Оліх О.Я., Подолян А.О. «Лабораторний практикум з дисципліни “ОПТИКА ” для студентів природничих факультетів», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2006, 74 с.
  11. Коротченков О.О., Оліх О.Я., Островський І.В. «Методичні вказівки до лабораторного практикуму “Фізика напівпровідникових матеріалів”», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2005, 69 с.
  12. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Збірник задач з механіки та молекулярної фізики для студентів природничих факультетів», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2004, 55 с.

Гранти

2020 р – проєкт «Розробка фізичних засад акусто-керованої модифікації та машинно-орієнтованої характеризації кремнієвих сонячних елементів» став переможцем конкурсу «Підтримка досліджень провідних та молодих вчених», що проводився Національним фондом досліджень України.

2 Responses to “Оліх Олег Ярославович”

  1. Анатолій Петрович says:

    Лучший!

Trackbacks/Pingbacks

  1. […]                                      к.ф.м.н. Оліх О.Я.                            к.ф.м.н. Подолян А.О.                 […]


Leave a Reply

advert