Категорія Співробітники

Оліх Олег Ярославович

доцент кафедри загальної фізики
кандидат фізико-математичних наук, доцент

Телефон:+38 (044) 526-05-1
e-mail:  olikh@univ.kiev.ua

1996 – вища освіта: фізичний факультет, Київський університет імені Тараса Шевченка;

1996 – 2000 – аспірантура, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2001 – кандидат фіз.-мат. наук, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

1998 – 2002 – асистент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2002 – доцент кафедри загальної фізики, фізичний факультет, Київський національний університет імені Тараса Шевченка;

2007 – 2011 – заступник декана фізичного факультету з навчально-методичної роботи.

Основні напрямки наукової діяльності:

  • Вплив ультразвуку на речовину;
  • Використання ультразвукових методів для визначення параметрів напівпровідникових кристалів;
  • Акустостимульовані динамічні явища в напівпровідникових бар’єрних структурах.

Результати наукової діяльності опубліковані у понад 50 наукових працях у вітчизняних та зарубіжних журналах, а також у матеріалах накових конференцій.

Наукові праці:

  1. Olikh O.Ya. «Acoustically driven degradation in single crystalline silicon solar cell», Superlattices and Microstructures, 2018, vol.117, p. 173-188
  2. Olikh O.Ya., Gorb A.M., Chupryna R.G., Pristay-Fenenkov O.V. «Acousto-defect interaction in irradiated and non-irradiated silicon n+–p structures», Journal of Applied Physics, 2018, vol.123, is.16, 161573
  3. Olikh Ya. M., Tymochko M. D., Olikh O.Ya., Shenderovsky V. A. «Clusters of point defects near dislocations as a tool to control CdZnTe electrical parameters by ultrasound», Journal of Electronic Materials, 2018, vol.47, is.8, P. 4370-4378
  4. Оліх Я.М., Тимочко М.Д., Сафрюк Н.В., Ілащук М.І., Оліх О.Я. «Дослідження «придислокаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 2018, T. 52, C.108-122
  5. Olikh O. Ya., Voitenko K. V., Burbelo R. M., Olikh Ja. M. «Effect of ultrasound on reverse leakage current of silicon Schottky barrier structure», Journal of Semiconductors, 2016, vol.37, is.12, 122002
  6. Olikh O.Ya., Voytenko K.V. «On the mechanism of ultrasonic loading effect in silicon-based Schottky diodes», Ultrasonics, 2016, vol.66, p. 1-3
  7. Olikh O.Ya. «Review and test of methods for determination of the Schottky diode parameters», Journal of Applied Physics, 2015, vol.118, is.2, 024502
  8. <li”>Olikh O.Ya., Voytenko K.V., Burbelo R.M. «Ultrasound influence on I–V–T characteristics of silicon Schottky barrier structure», Journal of Applied Physics, 2015, vol.117, is.4, 044505
  9. Olikh O.Ya. «Reversible influence of ultrasound on γ-irradiated Mo/n-Si Schottky barrier structure», Ultrasonics, 2015, vol.56, p. 545-550
  10. Лисюк І.О., Оліх Я.М., Оліх О.Я., Бекетов Г.В. «Особливості дислокаційного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te», УФЖ, 2014, т. 59, №1, с. 50-57
  11. Оліх О.Я. «Особливості впливу ультразвуку на перенесення заряду в кремнієвих структурах з бар’єром Шотки залежно від дози γ-опромінення», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2013, т.10, №1, с.47-55
  12. Олих О.Я. «Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/nn+-Si c барьером Шоттки», Физика и техника полупроводников, 2013, т. 47, №7, с. 979-984
  13. Оліх О.Я. «Особливості перенесення заряду в структурах Mo/n-Si з бар’єром Шотки», УФЖ, 2013, т. 58, №2, с. 126-134
  14. Olikh O.Ya. «Non-Monotonic g-Ray Influence on Mo/n-Si Schottky Barrier Structure Properties», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2013, vol.60, is.1, part 2, p.394-401
  15. Олих О.Я. «Особенности динамических акустоиндуцированных изменений фотоэлектрических параметров кремниевых солнечных элементов», Физика и техника полупроводников, 2011, т. 45, №6, с. 816-822
  16. Оліх Я.М., Оліх О.Я. «Інформаційний чинник акустичної дії на структуру дефектних комплексів у напівпровідниках», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2011, т.2 (8), №2, с.5-12
  17. Оліх О.Я. «Особливості впливу нейтронного опромінення на динамічну акустодефектну взаємодію у кремнієвих сонячних елементах», УФЖ, 2010, т. 55, №7, с. 770-776
  18. Gorb A.M., Korotchenkov O. A., Olikh O.Ya., Podolian A.O. «Ultrasonically Recovered Performance of g-Irradiated Metal-Silicon Structures», Nuclear Science, IEEE Transactions on, 2010, vol.57, іs.3, р.1632-1639
  19. Lytvyn P.M., Olikh O.Ya., Lytvyn O.S., Dyachyns’ka O.M., Prokopenko I.V. «Ultrasonic assisted nanomanipulations with atomic force microscope», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010, vol. 13, №.1, р.36-42
  20. Олих О.Я. «Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения», Физика и техника полупроводников, 2009, т. 43, №6, c. 774-779
  21. Курилюк В.В., Горб А.М., Коротченков О.О., Оліх О.Я. «Вплив ультразвуку на вольт-амперні характеристики гетероструктур GaAs/AlGaAs», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2007, №3, c. 298-300
  22. Оліх О.Я., Бурбело Р.М., Хіндерс М.К. «Робота кремнієвих сонячних елементів в умовах акустичного навантаження мегагерцового діапазону», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології,  2007, т.4, №3, с.40-45
  23. Olikh O.Ya., Burbelo R., Hinders M. «The Dynamic Ultrasound Influence on Diffusion and Drift of the Charge Carriers in Silicon p-n Structures», Mater. Res. Soc. Symp. Proc, V.994: Semiconductor Defect Engineering – Materials, Synthetic, Structures and Devices II, edited by S.Ashok, P.Kiesel, J.Chevallier, T.Ogino, Warrendale, PA, 2007, F03-11
  24. Олих О.Я., Пинчук Т.Н. «Акустостимулированные коррекции вольт-амперных характеристик арсенид-галлиевых структур с контактом Шоттки», Письма в Журнал Технической Физики, 2006, Т. 32, №12, С. 22-27
  25. Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на уровень остаточной деформации и параметры глубоких уровней монокристаллах карбида кремния», Физика и химия обработки материалов, 2005, №2, с.19-22
  26. Конакова Р.В., Литвин П.М., Олих О.Я. «Влияние микроволновой обработки на глубокие уровни монокристаллов GaAs и SiC», Петербургский журнал электроники, 2004, №1, с.20-24
  27. Olikh Ja.М., Olikh O.Ya. «Active ultrasound effects in the future usage in sensor electronics», Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 2004, т.1, №1, с.19-29
  28. Olikh O.Ya. «Acoustoelectric transient spectroscopy of microwave treated GaAs-based structures», Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, vol. 6, N.4, p.450-453
  29. Оліх О.Я. «Акустостимульовані динамічні ефекти в сонячних елементах на основі кремнію», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2003, №4, c. 408-414
  30. Олих О.Я., Островский И.В. «Увеличение длины диффузии электронов в кристаллах р-кремния под действием ультразвука», Физика твердого тела, 2002, т. 44, №7, с. 1198-1202
  31. Ostrovskii I.V., Korotchenkov O.A., Olikh O.Ya., Podolyan A.A., Chupryna R.G., Torres-Cisneros M. «Acoustically driven optical phenomena in bulk and low-dimensional semiconductors», Journal of Optics A: Pure and Applied Optics, 2001, vol. 3, N 4, p.S82-S86
  32. Оліх О.Я., Островський І.В. «Вплив ультразвуку на довжину дифузії неосновних носіїв заряду в кремнії», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 2000, №2, c. 529-534
  33. Островський І.В., Оліх О.Я. «Про можливості керування ефективністю фотоелектричного перетворення в шаруватих структурах п’єзоелектрик-напівпровідник за допомогою ультразвуку», Оптоелектроника и полупроводниковая техника, 1999, т. 34, c.56-60
  34. Ostrovskii I.V., Olikh O.Ya. «Characterization of interface deep levels in as vapor grown epi-GaAs», Solid State Communication, 1998, vol. 107, N 7, p.341-343.
  35. Ostrovskii I.V., Saiko S.V., Olikh O.Ya., Walther H.G. «Acousto-electric study of interface trapping defects in GaAs epitaxial structures», Журнал фізичних досліджень, 1998, т. 2, №1, с.143-149
  36. Островський І.В., Оліх О.Я. «Акустоелектрична релаксаційна спектроскопія газофазних епітаксіальних структур GaAs:Te», Вісник Київського ун-ту, Сер.: Фізико-математичні науки, 1996, №2, c. 310-315

Науково-методичні праці

  1. Боровий М.О., Оліх О.Я., Овсієнко І.В., Цареградська Т.Л., Козаченко В.В., Подолян А.О., Ісаєв М.В. «Загальна фізика для хіміків. Збірник задач. Частина 1. Механіка. Молекулярна фізика та термодинаміка», Вінниця: ТОВ «Нілан-ЛТД», 2018, 156 с.
  2. Оліх О.Я. «Дефекти у напівпровідникових та діелектричних кристалах», Вінниця: ФОП Корзун Д.Ю., 2015, 152 с.
  3. Оліх О.Я. «Сучасні комп’ютерні технології. Принципи побудови комп’ютерних мереж», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2015, 479 с.
  4. Горб А.М., Коротченков О.О., Надточій А.Б., Оліх О.Я. «Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з дисципліни «Оптика»», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2012, 95 с.
  5. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Фізичні основи квантової механіки. Для студентів природничих факультетів. Частина 1.», Київ: «Кафедра», 2011, 124 с.
  6. Момот А.І., Оліх О.Я. «Математичне моделювання. Методичні вказівки до практичних робіт», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2011, 72 с.
  7. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Збірник задач з електрики та магнетизму для студентів природничих факультетів», Київ, «Освіта України», 2009, 66 с.
  8. Бурдакова А.В., Жабітенко М.К., Оліх О.Я., Подолян А.О. «Лабораторний практикум з дисципліни “ОПТИКА ” для студентів природничих факультетів», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2006, 74 с.
  9. Коротченков О.О., Оліх О.Я., Островський І.В. «Методичні вказівки до лабораторного практикуму “Фізика напівпровідникових матеріалів”», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2005, 69 с.
  10. Боровий М.О., Оліх О.Я. «Збірник задач з механіки та молекулярної фізики для студентів природничих факультетів», Київ: ВПЦ “Київський університет”, 2004, 55 с.

 

2 Responses to “Оліх Олег Ярославович”

  1. Анатолій Петрович says:

    Лучший!

Trackbacks/Pingbacks

  1. […]                                      к.ф.м.н. Оліх О.Я.                            к.ф.м.н. Подолян А.О.                 […]


Leave a Reply

advert